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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個(gè)不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導(dǎo)通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關(guān)速度更快，可替換性能較低的標(biāo)準(zhǔn)雙片器件，而標(biāo)準(zhǔn)器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設(shè)計(jì)使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實(shí)現(xiàn)更小尺寸的PCB設(shè)計(jì)。

今天發(fā)布的器件可在 175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務(wù)、導(dǎo)航和LED照明等汽車應(yīng)用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓£ 8V的應(yīng)用，通道2的低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應(yīng)用，最大導(dǎo)通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進(jìn)行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素。

 

器件規(guī)格表：

產(chǎn)品編號		SQJ202EP		SQJ200EP
通道		1	2	1	2
VDS (V)		12		20
RDS(ON) (W) 最大值	@ VGS = 10 V	0.0065	0.0033	0.0088	0.0037
	@ VGS = 4.5 V	0.0093	0.0045	0.0124	0.0050
Qg (nC)典型值	@ VGS = 10 V	14.5	35.9	12	29
ID(A)		20	60	20	60

 

SQJ200EP和SQJ202EP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。